Samsung Electronics ha annunciato oggi il primo package di memoria DRAM LPDDR4 da 8 Gigabyte (GB) a basso consumo, con il quale ci si aspetta di migliorare l’esperienza utente in particolare su dispositivi dall’ampio schermo che fanno uso di display Ultra HD. Il package utilizza quattro dei nuovi chip di memoria LPDDR4 da 16 Gigabit (Gb) realizzati con processo produttivo a 10 nanometri, ed è in grado di operare alla velocità di 4266 Mbps, ovvero ad una velocità doppia rispetto ai moduli DRAM DDR4 per PC, che viaggiano ad una velocità di 2133 Mbps per pin.
Prendendo in considerazione un bus da 64 bit, il nuovo package da 8GB sarebbe in grado di offrire una velocità di trasferimento dati pari a 34GB/sec. L’adozione del processo produttivo a 10nm ha permesso di raddoppiare la capacità nei confronti dei precedenti package DRAM da 4GB, realizzati con processo produttivo a 20nm, pur mantenendo approssimativamente invariati i consumi. Il package è alto solamente un millimetro e può essere impilato assieme alla memoria UFS o al processore per risparmiare spazio sul circuito stampato.
“L’avvento della nostra potenza soluzione DRAM mobile da 8GB sarà utilizzata su molti flagship di prossima generazioni in tutto il mondo” ha commentato Joon Sun Choi, Executive Vice President della divisione Memory Sales and Marketing di Samsung Electronics. “Continueremo a provvedere soluzioni di memoria all’avanguardia per offrire la migliore qualità e andare incontro alle necessità dei dispositivi dotati di doppia fotocamera, display 4K Ultra HD e supporto per il VR“. Probabilmente potremo presto trovare il nuovo package di memoria da 8GB di Samsung su smartphone, tablet e ultraportatili nel prossimo futuro.
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