Samsung recentemente ha dovuto fare i conti con una flessione delle vendite e dei profitti legati alle memorie DRAM – anche se il trend potrebbe invertirsi nel corso dell’anno – ma la compagnia ha fatto passi da gigante con le memorie di tipo NAND Flash. Le cose, però, potrebbero cambiare ulteriormente: oltre ad aver recentemente introdotto le nuove memorie UFS ultra veloci, che si faranno presto strada nel settore smartphone e tablet ai danni dell’attuale tecnologia microSD, Samsung ha infatti intenzione di superare anche la “dipendenza” dalle memorie NAND Flash, lavorando con IBM per architettare una nuova soluzione.

Samsung e IBM hanno pubblicato un articolo che analizza in dettaglio i progressi fatti dalla tecnologia Spin-Transfer Torque Magnetoresistive RAM (o STT MRAM), che hanno avuto come esito la possibilità di realizzare chip di dimensioni estremamente ridotte, ideali anche per i dispositivi di tipo wearable o IoT. La STT MRAM può dunque essere utilizzata all’interno di device wearable, che sono relativamente più piccoli rispetto alla maggior parte dei dispositivi elettronici high-end, non consuma energia quando è in idle – vale a dire in stato di non attività – ed è probabilmente in grado di durare di più rispetto ai chip di memoria attuali, grazie alla sua elevata resistenza.

Samsung IBM SST MRAM

I chip SST MRAM risultano anche più veloci in termini di lettura e scrittura rispetto alle memorie NAND Flash, e anche i tempi di accesso alla memoria sono molto inferiori: se per la tecnologia NAND Flash si parla infatti di 1 microsecondo per la scrittura di un dato in memoria, con la tecnologia SST MRAM si scende addirittura a 10 nanosecondi. Lo sviluppo delle nuove memorie potrebbe rendere obsolete sia le memorie DRAM che quelle di tipo NAND Flash: se per sostituire le prime ci potrebbe volere un po’ di tempo, il rimpiazzo dei chip di memoria Flash potrebbe invece avvenire in tempo molto più brevi.

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